1. High-Purity ပစ္စည်းပြင်ဆင်မှုတွင် အောင်မြင်မှုများ
ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ- ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းပုံဆောင်ခဲများ၏ သန့်စင်မှုသည် 13N (99.9999999999%) ထက် ကျော်လွန်သွားခဲ့ပြီး floating zone (FZ) နည်းလမ်းဖြင့် ပါဝါမြင့်မားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ (ဥပမာ IGBTs) နှင့် အဆင့်မြင့် ချစ်ပ်များ 45 ကို ကျော်လွန်သွားပါသည်။ ဤနည်းပညာသည် crucible-free process မှတဆင့် အောက်ဆီဂျင်ညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချပေးကာ silane CVD နှင့် ဇုန်-အရည်ပျော်-တန်း polysilicon 47 ကို ထိရောက်စွာ ထုတ်လုပ်မှုရရှိစေရန် silane CVD နှင့် ပြုပြင်ထားသော Siemens နည်းလမ်းများကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။
ဂျာမနီယမ်ပစ္စည်းများ- အကောင်းဆုံးဇုန်အရည်ပျော်သန့်စင်မှုသည် ဂျာမနီယမ်သန့်စင်မှုကို 13N သို့ မြှင့်တင်ထားပြီး၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သောညစ်ညမ်းမှုဖြန့်ဝေမှုကိန်းဂဏန်းများနှင့်အတူ အနီအောက်ရောင်ခြည်သုံးအလင်းနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်ရှာဖွေစက်များတွင် အသုံးချမှုများကို အသုံးပြုနိုင်စေသည် 23။ သို့သော်၊ အပူချိန်မြင့်မားသော ဂျာမနီယမ်နှင့် စက်ပစ္စည်းပစ္စည်းများကြားတွင် သွန်းသော ဂျာမီယမ်နှင့် ဆက်စပ်ပစ္စည်းများအကြား အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုသည် အရေးကြီးသော စိန်ခေါ်မှုတစ်ခု ၂၃။
2. လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ပစ္စည်းများတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများ
ရွေ့လျားနိုင်သော ကန့်သတ်ကန့်သတ်ထိန်းချုပ်မှု- အရည်ပျော်ဇုန်လှုပ်ရှားမှုအမြန်နှုန်း၊ အပူချိန်အရောင်ဖျော့ဖျော့များနှင့် အကာအကွယ်ဓာတ်ငွေ့ပတ်ဝန်းကျင်—အချိန်နှင့်တစ်ပြေးညီ စောင့်ကြည့်စစ်ဆေးခြင်းနှင့် အလိုအလျောက်တုံ့ပြန်မှုစနစ်များပါရှိသော—ဂျာမနီယမ်/ဆီလီကွန်နှင့် စက်ပစ္စည်းများအကြား အပြန်အလှန်တုံ့ပြန်မှုများကို လျှော့ချနေစဉ် လုပ်ငန်းစဉ်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ထပ်တလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ 27။
ပိုလီစီလီကွန်ထုတ်လုပ်ခြင်း- ဇုန်-အရည်ပျော်အဆင့် ပိုလီဆီလီကွန်အတွက် ဆန်းသစ်သောအရွယ်အစားရှိ နည်းလမ်းများသည် သမားရိုးကျလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှု ထိန်းချုပ်ရေးစိန်ခေါ်မှုများကို ဖြေရှင်းပေးခြင်း၊ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချခြင်းနှင့် အထွက်နှုန်းမြှင့်တင်ခြင်း 47။
3. နည်းပညာပေါင်းစည်းမှုနှင့် စည်းကမ်းပိုင်းဆိုင်ရာအသုံးချမှုများ
အရည်ပျော်ခြင်း ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းခြင်း- စွမ်းအင်နည်း အရည်ပျော်ပုံဆောင်ခဲနည်းများကို အော်ဂဲနစ်ဒြပ်ပေါင်းများကို ခွဲထုတ်ခြင်းနှင့် သန့်စင်ခြင်းတို့ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်၊ ဆေးဝါးဆိုင်ရာ ကြားခံများနှင့် ကောင်းမွန်သောဓာတုပစ္စည်းများတွင် ဇုန်အရည်ပျော်ခြင်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများကို ချဲ့ထွင်ရန် ပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်နေပါသည်။
တတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း- ဇုန်အရည်ပျော်ခြင်းကို ယခုအခါတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) နှင့် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် (GaN) ကဲ့သို့သော ကျယ်ပြန့်သော လှိုင်းအကွာအဝေးရှိသော ပစ္စည်းများတွင် အသုံးချပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့်ပြီး အပူချိန်မြင့်သည့်ကိရိယာများကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အရည်-အဆင့်တစ်ခုတည်း-သလင်းကျောက်မီးဖိုနည်းပညာသည် တိကျသောအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု 15 မှတစ်ဆင့် တည်ငြိမ်သော SiC crystal ကြီးထွားမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
4. ကွဲပြားသော အသုံးချမှုအခြေအနေများ
Photovoltaics- ဇုန်-အရည်ပျော်အဆင့် ပိုလီဆီလီကွန်ကို စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ဆိုလာဆဲလ်များတွင် အသုံးပြုကာ photoelectric ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှု 26% နှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်တွင် တိုးတက်မှုကို မောင်းနှင်ပေးပါသည်။
အနီအောက်ရောင်ခြည်နှင့် ထောက်လှမ်းနည်းပညာများ- အလွန်မြင့်မားသောသန့်စင်မှုဂျာမီယမ်သည် စစ်ဘက်၊ လုံခြုံရေးနှင့် အရပ်ဘက်စျေးကွက်များအတွက် အသေးစား၊ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ပုံရိပ်ဖော်ခြင်းနှင့် ညဘက်အမြင်အာရုံခံကိရိယာများကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည် 23။
5. စိန်ခေါ်မှုများနှင့် အနာဂတ်လမ်းကြောင်းများ
ညစ်ညမ်းမှု ဖယ်ရှားခြင်း ကန့်သတ်ချက်များ- လက်ရှိ နည်းလမ်းများသည် အလင်း-ဒြပ်စင် အညစ်အကြေးများ (ဥပမာ၊ ဘိုရွန်၊ ဖော့စဖရပ်) ကို ဖယ်ရှားရန်၊ တားမြစ်ဆေး လုပ်ငန်းစဉ်အသစ်များ သို့မဟုတ် တက်ကြွသော အရည်ပျော်ဇုန် ထိန်းချုပ်မှု နည်းပညာများ 25 လိုအပ်ပါသည်။
စက်ပစ္စည်း တာရှည်ခံမှုနှင့် စွမ်းအင်ထိရောက်မှု- သုတေသနသည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ ချေးခံနိုင်သော crucible ပစ္စည်းများ နှင့် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း အပူပေးစနစ်များကို တီထွင်ရန် အာရုံစိုက်ထားသည်။ Vacuum arc remelting (VAR) နည်းပညာသည် သတ္တုသန့်စင်မှုအတွက် ကတိပြုသည် 47။
ဇုံအရည်ပျော်နည်းပညာသည် ပိုမိုသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုနှင့် ပိုမိုကျယ်ပြန့်စွာအသုံးချနိုင်မှုဆီသို့ ဦးတည်နေပြီး၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် optoelectronics များတွင် အုတ်မြစ်အဖြစ် ၎င်း၏အခန်းကဏ္ဍကို ခိုင်မာစေပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- မတ်လ ၂၆-၂၀၂၅